貼片天線陣列CST仿真設計實例（2）

緊接上篇貼片天線陣列CST仿真設計實例（1）。

在大型相控陣的設計過程中，通常有兩個階段：在單元設計階段，我們對單個元素進行優化以在無限大的陣列中運行。在這一階段，有源元件阻抗AEI和有源元件圖形AEP受到關注。這些可以解決陣列的單位單元，以高精度預測整個陣列的預期性能（適用于大型陣列）。在整個陣列設計階段，由于陣列實際上是有限的，我們有興趣研究非周期性的影響，研究彎曲的天線罩，校準線或其他不能在單位像元上考慮的幾何元素的影響。

修改參數，如下圖所示：

從“模擬項目”列表中選擇“陣列任務”。

在X和Y中啟用鏡像選擇。選擇數組的外部元素。將所選單元設置為被動。

選擇激勵模式，指定泰勒作為陣列激勵模式，將相對旁瓣電平設置為-30 dB，單擊確定進行確認，切換到激勵視圖。

創建一個單元模擬工程，指定掃描角度，選擇所需的遠場監視器，然后單擊“確定”。

將Zmin邊界條件設置為電，以避免離散接地平面下方的體積。由于地面無限大，因此沒有磁場可以在該區域中流動！

啟用不依賴于掃描角度phi的偏振。

默認情況下，Floquet模式的極化是（可變）掃描角度phi的函數。啟用與掃描角度phi無關的極化后，基本模式TE（0,0）和TM（0,0）將線性變化組合，使得所得的第一模式的偏振與給定的端口偏振角（相對于端口的u軸，以度數為單位，如波導端口）對齊。因此，可以針對整個掃描角度范圍優化天線的交叉極化。

創建全陣列仿真工程。定義每個元素相位的默認設置。

已經創建了一個名為Full Array1的新仿真項目。

完整的數組對布局，3D導航樹中的組件和端口使用相同的索引名稱。

將使用新參數PAA_FA創建“模擬項目”，以定義“有限陣列”掃描角度屬性。

激勵列表：

有效端口（x）使用預定義的泰勒振幅錐度和參數相移信息自動設置。這些端口同時被激勵。

結果如下圖所示

在參數掃描結束時，將處理AEI（Active S1,1）曲線，該曲線是掃描角度THETA和PHI的函數，并且僅針對那些具有關聯的遠場監視器的頻率將其顯示為2D彩色圖。

有源元件模式（AEP）

有源元件方向圖是使用從天線端口到Floquet基本模式的耦合數據來計算的。

具有在“單元像元”任務中定義的相同分辨率的生成的1D切割將被收集并可視化為3D遠場。