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ADS中做功分器版圖仿真時隔離電阻的定義
文章來源: 互聯網 錄入: mweda.com 點擊數:
在做1分4微帶型Wilkinson功分器版圖仿真時，隔離度在-18db左右，除S11外反射系數在-13左右，S11有-30db，但插損和相位效果比較好，插損在-6.1--6.3間，不知是否是隔離電阻定義的不對，首先是100歐的隔離電阻在Momentum中仿真時是不是需要轉換單位？也就是說TFR的阻值不是100 ？在有在Substrate中如何定義電阻所在的層？是不是與導體cond同層？resi層中電阻的值是不是也要換算？單位ohm/square與隔離電阻的100歐之間是什么關系？仿真時短口設置有沒有特殊要求？問了老多問題請大家幫忙，多謝了！
微波EDA (www.tanchuguo.com) 網友回復：
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網友回復
謝謝哈
看到這些，自己可以認真學習下~~ -
網友回復
首先回答第一個問題，如果是100歐姆的電阻，是要轉換單位的，轉換成歐姆每平方，要看你電阻加上去后沒有和功分器相連的部分的面積，換算一下
第二個問題，電阻不是放在cond層的，要在momentum中另外定義層，有幾個電阻定義幾個層，然后再與cond層strip一下
最后的問題，端口設置沒有啥要求
以上回答不知道是否解答了你所有的疑問？
申明：網友回復良莠不齊，僅供參考。如需專業解答，推薦學習李明洋老師的ADS培訓視頻，或咨詢本站專家。
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