超材料光子晶體CST仿真 - 60度周期布里淵區與布洛赫定理
之前寫過二維光子晶體的案例：超材料光子晶體和禁帶分析實例，其周期為正方形
這期我們還以二維光子晶體為例，看一下六邊形周期結構的色散圖仿真，以及多重模式下利用布洛赫定理進行模式挑選。
第一部分：建模和仿真設置
首先推薦使用色散圖模板，頻率范圍設0-250THz。
定義周期結構尺寸參數：
建模：
再畫個方型區域作為單元晶胞，用圓柱Trim。
復制周期單元，剪切，只保留方形區域內單元：
求解器設置：
提高求解器精度和速度：
手動加密網格：
先添加后處理方便后處理：
六邊形不可約布里淵區：
?！鶰: phaseX=0; phaseY=0~360
M→K: phaseX=0~120;phaseY=360
K→Γ: phaseX = 120~0;phaseY=360~0
所以修改phaseX和phaseY的定義式：
參數掃描開始：
第二部分：布洛赫定理驗證
由于相位計算k的結果是非唯一解，所以該結果中會有出現多個Mode表示一個TM模的混亂情況。我們將通過后處理，手動驗證真正的TM模是哪些。
根據布洛赫定理，本征模需要滿足下式：
其中e是晶格周期函數，E是本征模，所以，反用公式可得周期函數表達式：
具體方法就是，在三維結構中，我們定義兩個圓曲線，相對位置為晶格矢量，然后分別計算曲線上的Z電場（TM模）或Z磁場（TE模），然后與相位因子exp相乘，作為滿足晶格周期函數的本征模電場，再和之前計算出的15個Mode相比較，選出符合布洛赫定理的Mode。
由于場數據存在采樣誤差或其他誤差，我們不能期望提取的函數表達式完全準確（也沒必要），所以可用統計學中的變異系數（Coefficient of variation），比如設個闕值0.05，小過這個值我們就認為兩組數據相同。相同的區域就保留Mode曲線，不相同就是不符合布洛赫定理的無效Mode曲線。
WCS放到角上，厚度中心，以該點為參考，定義兩個WCS的坐標，方便我們計算晶格矢量。
將WCS移到第一個點，儲存為wcs1，畫個圓半徑0.2，所以該圓是以u軸開始的逆時針方向。
再將WCS對齊到第二個點（可用pick point from coordinates，需還原WCS到參考點）, 儲存為wcs2，畫個圓，注意要分開成第二組曲線。
有了兩個Curve之后，后處理分別對兩個Curve提取Z方向每個模式的電場：
由于參數掃描并沒有記錄全部的電場，這里可能需要重新參數掃描。結果如下：
圓曲線的長度定義是從X+方向為0，逆時針轉的。不確定的話可以對比三維的場強變化來確認長度定義。
下面將電場與反向平面波相位因子相乘，得到curve1的周期函數表達式：
公式用到的向量關系如下：
分別計算兩個curve上的周期函數表達式：
這個MixTemplate可以不用重新參數掃描，結果如下：
然后curve1的周期式減去curve2 的周期式得到誤差值：
由于數據都是離散采樣點，所以要用Stochastic的方法計算標準差：這里取實部就可以了，因為我們最后只需要一組實數來做決定，通過或不通過之前計算的這些Mode值而已。并且，這里如果選Mag, 并不能給我們有效的信息，因為相同的Mag，也可以是不同的實部虛部。
所以在這一步，數據類型正式從電場復數變成實數（1DC變0D）。
標準差值如下，其實這里就可以看出一些我們想要的結果了，就是近乎0值的這些區域說明就是滿足周期函數。
為了得到通過或不通過這樣的二進制數據，我們用標準差除以curve1的幅度平均值，得到變異系數：
選取變異系數小于0.05的參數PathPara為1，其他為0：
將結果與之前的色散圖相乘，獲得新的色散圖：
調整曲線為相同的點：
可將Y軸歸一化，晶格周期是1um：
全部的后處理：
將新舊色散圖放一起，可見真正的TM模式被標注出來：
結果與文獻中的TM模式一致：
參考文獻：
J.D. Joannopoulos, “Photonic Crystals:Molding the Flow of Light”, Chap. 5
小結：
1） 文中的模式式TM，如果要看TE，邊界要改成Magnetic，curve上要看Z磁場。完整的能級分析需要TE和TM。
2) 可能有人好奇，為什么要看圓型curve呢？其他curve行不行？我覺得理論上可以，不過圓形上的點坐標容易寫，sin和cos就行，圈定的區域也比較有代表性。
3) 本文還用了一些統計學的手段，研究兩組數據的重疊情況。
4） 60度角的晶格需要我們調整布里淵區，就是CST中的ParaPath參數定義式，文中是90度的XY，以后我們會寫關于60度的XY以及更容易獲得布洛赫模的方法。
5) 手動驗證布洛赫定理公式成功~ 手動雖復雜，但是可以學的更多~
