CST MWS仿真超材料的S11

仿真的單元結(jié)構(gòu)如圖所示。我希望模擬“微波照射到超材料結(jié)構(gòu)上”的情形，并得到其S11。是不是port面上用的邊界條件是open（add space），請問另外橫向的四個面用什么樣的邊界條件？理想磁邊界和電邊界使用有什么樣的講究呢。
此外除了得到S11 的dB曲線之外，我還想得到S11的調(diào)制相位。因為port距離超結(jié)構(gòu)材料有一定距離，在1D result里面的相位包含了行進(jìn)中的相位，如何能夠減去背景呢。
另外，port入射和平面波入射有什么區(qū)別，我如何能夠做一個變角度入射的模擬，并且能夠得到S11參數(shù)？因為貌似平面波入射（雖然可以調(diào)整入射角）不能得到S11參數(shù)。謝謝。

CST仿真FSS最好用頻域求解器，四個面邊界設(shè)置unit cell邊界，另外兩個是open add space 激勵用floquet modes來做，我最近最近過跟樓主一樣的東西，有興趣留下郵箱給我，發(fā)你我設(shè)計的文件。
如果用時域求解器，記得把邊界條件設(shè)置成periodic，因為時域T不支持UC邊界
如果想斜入射的話至于改變平面波設(shè)置中的傳播矢量，記得設(shè)置好電場極化方向。
另樓主的模型是帶阻形式的，可以設(shè)置不同頻率下的電場監(jiān)視器，能很明顯的看出透波特性。

你好，我是初學(xué)者，我也有類似的問題想咨詢。
343487178@qq.com

電場 極化方向是在哪設(shè)置的

如果是UC邊界條件，則需要使用邊界自帶的Zmin、Zmax端口，可以通過改變激勵模式來設(shè)置。

如果使用平面波激勵，則在定義平面波時即可以設(shè)置了

我是用的邊界自帶的Zmin、Zmax端口，可以詳細(xì)說一下嗎？

是在這里設(shè)置嗎嗎？謝謝