激勵(lì)端口設(shè)置積分線的問(wèn)題
當(dāng)你設(shè)置端口激勵(lì)類型為waveport時(shí)，可以不用設(shè)置積分線，但是當(dāng)端口激勵(lì)類型為lumped port時(shí)就必須給他設(shè)置積分線，這兩種之間有什么區(qū)別？
還有就是激勵(lì)類型為waveport時(shí)，它是不是按照主模自動(dòng)設(shè)置的，當(dāng)需要考慮多模時(shí)怎么辦？好像它也是自動(dòng)設(shè)置的。
我是這么認(rèn)為:
waveport相當(dāng)于半無(wú)限長(zhǎng)波導(dǎo)的橫截面,它的大小定了,中心頻率定了,里面?zhèn)鬏數(shù)哪Ｊ揭簿投?所以可以不用設(shè)置積分線.而lumpport相當(dāng)于電壓源,電壓源的話就有必要定義電壓的方向了.
看一下這個(gè)帖子http://imw.itown.cc/frame.php?frameon=yes&referer=http%3A//imw.itown.cc/index.php。討論的比較多
謝謝了，現(xiàn)在知道waveport不用設(shè)置的原因了，但是集總端口的還是不大清楚，上面的能講詳細(xì)點(diǎn)嗎？
好像鏈接有錯(cuò)誤啊，只看到了主頁(yè)。
是這個(gè)吧:
http://imw.itown.cc/viewthread.php?tid=2566&fromuid=13556
直接把內(nèi)容貼過(guò)來(lái)吧:(轉(zhuǎn)自微波技術(shù)網(wǎng),作者:gotoblue)
Wave port和 Lamped Gap Sources區(qū)別 Wave port：是用Ansoft制作的一個(gè)電磁系統(tǒng)與外界進(jìn)行能量交換的窗口,它能夠到端口的S參數(shù)。它是一種典型的傳輸線型端口，它經(jīng)常用來(lái)設(shè)置波導(dǎo)口和同軸線的輸出輸入端口。它要設(shè)置在整個(gè)輻射框（吸收邊界）的外面，如果在輻射框（吸收邊界）內(nèi)使用這種源的設(shè)置，就必須在端口的外邊畫一反射體（金屬底座）以此來(lái)確定波的傳播方向。
Lamped Gap Sources同Wave port源的很相似，但Lumped Gap Sources一般設(shè)置為電磁系統(tǒng)的內(nèi)部端口，它可自定義端口的阻抗。它可以用于微帶線、波導(dǎo)及平行雙導(dǎo)線等電磁系統(tǒng)源的設(shè)置，在設(shè)置Lamped Gap Sources時(shí)應(yīng)注意兩點(diǎn)：1.用戶定義的端口阻抗不能為零或負(fù)數(shù)，2.此端口只允許單模傳輸。另外，還必須設(shè)置積分線。它的設(shè)置和Wave Port基本一致，只是Lumped Gap Sources需要設(shè)置阻抗和電抗。
一個(gè)一直沒(méi)找到結(jié)論的問(wèn)題終于解決。以前看help里面的介紹，因?yàn)橐恍┬g(shù)語(yǔ)不是很熟造成也看得不是很懂。多謝
多謝了，剛剛正在看一個(gè)英文版的看得也是不甚了了，英文的就是很啰嗦，從最基本的講起。可能也是它的優(yōu)點(diǎn)
Waveport端口設(shè)置在吸收邊界外面，如何與仿真區(qū)域一起計(jì)算啊？
太好了。謝謝了。
一直懸而未決的問(wèn)題終于解決掉了，多謝多謝啊
