TVS瞬變電壓抑制二極管的結(jié)構(gòu)、特性及應(yīng)用設(shè)計(jì)要點(diǎn)

眾所周知，二極管具有正向?qū)ㄒ约胺聪螂妷恒Q位的特性，合理地利用這一特點(diǎn)就可取得抑制瞬態(tài)過(guò)電壓的作用。實(shí)踐中，人們?cè)O(shè)計(jì)了齊納二極管、雪崩二極管以及在此基礎(chǔ)上改進(jìn)而成的瞬態(tài)過(guò)電壓抑制TVS管。這些二極管并聯(lián)在被保護(hù)電路兩端，當(dāng)其上的雷擊電涌、ESD電壓超過(guò)一定的幅度時(shí)，二極管迅速導(dǎo)通鉗位，將過(guò)電壓沖擊能量泄放掉。同壓敏電阻相比，抑制二極管不僅響應(yīng)速度更快，而且鉗位電壓更平坦、更穩(wěn)定。基于硅材料的齊納二極管、雪崩二極管、TVS管具有多種封裝、組合方式和不同的容量規(guī)格，具有保護(hù)精準(zhǔn)、體積小、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，目前在數(shù)碼相機(jī)、掃描器、計(jì)算機(jī)、手機(jī)等消費(fèi)電子領(lǐng)域以及通信網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。

1、 齊納二極管和雪崩二極管

1.1 齊納二極管和雪崩二極管原理

二極管內(nèi)部PN結(jié)是其特性的決定因素，齊納二極管和雪崩二極管進(jìn)行過(guò)電壓鉗位也是利用了這個(gè)特性。圖1所示為二極管的典型伏安特性曲線(xiàn)，該曲線(xiàn)具有正向?qū)ā⒎聪蜿P(guān)斷以及反向擊穿三個(gè)狀態(tài)。當(dāng)二極管承受正向電壓大于0.7V時(shí)，即正向?qū)ǎ划?dāng)二極管承受的反向電壓不大，小于VWM時(shí)，PN結(jié)反偏形成的漏電流很小，二極管接近關(guān)斷狀態(tài)；當(dāng)反向電壓繼續(xù)增大，高于一定值VBR時(shí)，PN結(jié)反向擊穿導(dǎo)通，反方向電流迅速增大。齊納二極管和雪崩二極管的反向擊穿曲線(xiàn)特別陡，具有很好的電壓鉗位性能，因此適用于瞬態(tài)過(guò)電壓的保護(hù)。圖2所示為齊納二極管、雪崩二極管實(shí)物圖及其電路符號(hào)。

圖1 二極管的典型伏安特性曲線(xiàn)

齊納二極管和雪崩二極管雖然都可以進(jìn)行反向電壓鉗位，但兩者的機(jī)理和特性還是有一些區(qū)別的。齊納二極管利用的是隧道量子效應(yīng)，當(dāng)PN結(jié)很薄時(shí)，在較高反向電壓作用下，PN結(jié)中存在的強(qiáng)電場(chǎng)將電子從結(jié)的一側(cè)穿透到另一側(cè)，從而形成大的反向電流。齊納擊穿需要的電場(chǎng)強(qiáng)度較大，僅在雜質(zhì)濃度特別大、電荷密度大且薄的PN結(jié)才能做得到。通過(guò)串聯(lián)齊納二極管就可獲更高的反向鉗位電壓，使得其在穩(wěn)壓器、電壓基準(zhǔn)元器件方面廣泛應(yīng)用。雪崩二極管的反向擊穿是PN結(jié)反向電壓增大到一數(shù)值后，載流子能量在很強(qiáng)電場(chǎng)的作用下增大，其晶體原子不斷相碰，使共價(jià)鍵中的電子激發(fā)形成自由電子-空穴對(duì)。新產(chǎn)生的載流子又增加速度，再進(jìn)行碰撞產(chǎn)生新的自由電子-空穴對(duì)，數(shù)量不斷發(fā)生倍增效應(yīng)，即像雪崩一樣增加載流子，從而產(chǎn)生更大的反向電流。通常的二極管摻雜濃度不太高，因此，擊穿機(jī)理多為雪崩擊穿效應(yīng)。

圖2 齊納二極管和雪崩二極管

從應(yīng)用的角度來(lái)講，反向擊穿電壓小于5V的PN結(jié)因耗盡層薄而多為齊納擊穿機(jī)理。反向擊穿電壓大于8V的PN結(jié)則多為雪崩擊穿機(jī)理。反向擊穿電壓在5～8V之間的二極管則可能同時(shí)具有齊納或雪崩擊穿過(guò)程。齊納二極管和雪崩二極管雖均利用反向擊穿進(jìn)行過(guò)電壓抑制，二者在耐受暫態(tài)脈沖沖擊能力和鉗位電壓水平方面還是有所差異的。通常，齊納二極管響應(yīng)速度慢于雪崩二極管，耐沖擊電流能力也較小。因而，在瞬態(tài)過(guò)電壓保護(hù)電路中多用雪崩二極管，在穩(wěn)壓電路中更多地用齊納二極管。此外，兩者受溫度影響的效果也不同。齊納二極管多為負(fù)溫度系數(shù)，隨著結(jié)溫的上升，反向擊穿電壓下降。而雪崩二極管為正溫度系數(shù)，隨著結(jié)溫的上升，反向擊穿電壓上升。上述齊納二極管、雪崩二極管均為單方向起鉗位電壓作用的。為了能抑制正、負(fù)兩個(gè)方向的過(guò)電壓，人們將兩只二極管的陰極對(duì)接，串聯(lián)起來(lái)，封裝在一個(gè)體內(nèi)。用這種方式，同時(shí)還可以起到減小單個(gè)管子間連線(xiàn)的寄生電感、改善鉗位效果、減小體積的優(yōu)點(diǎn)。圖3所示為雙向鉗位二極管的伏安特性曲線(xiàn)和電路符號(hào)。

圖3 雙向鉗位二極管

1.2 齊納二極管和雪崩二極管的性能特點(diǎn)

齊納二極管和雪崩二極管有自己突出的性能特點(diǎn)，既具有反應(yīng)快、吸收容量小的優(yōu)點(diǎn)，也有漏電流大、寄生電容大的缺點(diǎn)，在使用時(shí)需要合理運(yùn)用。（1）響應(yīng)時(shí)間齊納二極管和雪崩二極管是通過(guò)很薄的PN結(jié)效應(yīng)來(lái)實(shí)現(xiàn)電壓鉗位的，其響應(yīng)時(shí)間可達(dá)皮秒級(jí)。相對(duì)于氣體放電管、壓敏電阻，它的反應(yīng)速度更快，因此能在過(guò)電壓出現(xiàn)后很快就響應(yīng)，將過(guò)電壓鉗位到較小數(shù)值，有利于保護(hù)后續(xù)敏感電路。此外，齊納二極管和雪崩二極管的鉗位電壓波動(dòng)很小，相對(duì)于壓敏電阻來(lái)講，反向擊穿段的動(dòng)態(tài)電阻更小，殘壓比更低，保護(hù)也更精準(zhǔn)。當(dāng)然，齊納二極管和雪崩二極管的鉗位電壓范圍、吸收能量容量與氣體放電管、壓敏電阻相比，數(shù)值上一般要小很多。因此，它們適合直接作為低電平工作的敏感IC、線(xiàn)路以及電子設(shè)備的雷擊電涌、ESD多級(jí)保護(hù)電路的最末一級(jí)，對(duì)過(guò)電壓脈沖進(jìn)行直接的可靠保護(hù)。（2）泄漏電流齊納二極管和雪崩二極管在被保護(hù)電子設(shè)備中工作時(shí)，在系統(tǒng)正常工作電壓下，處于反向關(guān)斷區(qū)，但PN結(jié)的反向阻擋層厚度有限，其關(guān)斷電阻無(wú)法做到很高，從而在系統(tǒng)工作電壓作用下產(chǎn)生一定的漏電流。齊納二極管和雪崩二極管的漏電流與氣體放電管、壓敏電阻相比，其相對(duì)值更大，成為一個(gè)缺點(diǎn)。例如，僅在5V電壓作用下，有些齊納二極管的漏電流可達(dá)1～5mA，有些雪崩二極管的漏電流也可達(dá)幾百微安至1mA。齊納二極管和雪崩二極管的漏電流主要受外加反向電壓的大小、PN結(jié)區(qū)溫度高低的影響。一般來(lái)講，二極管的泄漏電流會(huì)隨反向電壓的增大而增大。擊穿電壓高的二極管的漏電流比擊穿電壓低的二極管的泄漏電流小。PN結(jié)溫度對(duì)二極管泄漏電流的影響則因二極管的不同而有所不同。對(duì)擊穿電壓高的二極管，泄漏電流整體的數(shù)值小些，但當(dāng)結(jié)溫度變化時(shí)，漏電流的數(shù)值變化較大；而對(duì)擊穿電壓低的二極管，漏電流雖相對(duì)大一些，但結(jié)溫變化時(shí)，漏電流數(shù)值變動(dòng)卻相對(duì)較小。因此，在使用齊納二極管和雪崩二極管時(shí)，應(yīng)注意進(jìn)行適當(dāng)?shù)纳崽幚砗驮O(shè)計(jì)。（3）寄生電容在齊納二極管和雪崩二極管的PN結(jié)內(nèi)因反型層而存在著寄生電容。該寄生電容的大小主要由PN結(jié)的面積、半導(dǎo)體材料的介電常數(shù)、外加電壓大小等因素決定。齊納二極管和雪崩二極管的寄生電容與壓敏電阻的寄生電容都比較大，可從幾十到幾千皮法，遠(yuǎn)大于氣體放電管的寄生電容，因此會(huì)對(duì)并聯(lián)的高速信號(hào)傳輸產(chǎn)生不利影響。此外，二極管的功率和反向電壓大小也會(huì)對(duì)寄生電容有著一定的影響。隨著二極管功率容量的加大，PN結(jié)的面積也會(huì)相應(yīng)增大，以便減小熱阻，提高通流能力，因此寄生電容也會(huì)增大；二極管反向電壓越大，PN結(jié)反型層厚度就越大，電荷分布的間距就越大，等效寄生電容就會(huì)小。該寄生電容在不同反向電壓下數(shù)值也會(huì)不同。為減小齊納二極管和雪崩二極管的寄生電容，人們常將普通二極管與雪崩二極管串聯(lián)使用。由于普通二極管的寄生電容很小，為20～50pF，與有較大寄生電容的齊納二極管或雪崩二極管相串聯(lián)后，支路等效電容為兩者電容值的串聯(lián)，即由小的電容量決定，從而使寄生電容數(shù)值大幅度降低。圖4所示為兩種串聯(lián)設(shè)計(jì)，但由于普通二極管的響應(yīng)速度慢一些，整個(gè)串聯(lián)支路的響應(yīng)時(shí)間也會(huì)延長(zhǎng)。

圖4 串聯(lián)普通二極管減小寄生電容的設(shè)計(jì)

1.3 齊納二極管和雪崩二極管主要性能參數(shù)

（1）鉗位電壓鉗位電壓即反向擊穿電壓，通常在反向電流為10mA或1mA時(shí)進(jìn)行測(cè)量而得。

（2）額定電流二極管在反向鉗位狀態(tài)下正常工作所允許的穩(wěn)態(tài)電流為額定電流。

（3）脈沖功率

脈沖功率是二極管在10/1000μs的脈沖電流波形下，最大脈沖電流峰值Ipk與最大鉗位電壓Ucm的乘積。該值遠(yuǎn)大于鉗位電壓與額定電流的乘積，即穩(wěn)態(tài)吸收功率。

2、TVS瞬變電壓抑制二極管

普通的齊納二極管和雪崩二極管作為瞬態(tài)過(guò)電壓抑制器件，其瞬態(tài)通流以及瞬態(tài)功率吸收能力尚有不足，人們對(duì)此進(jìn)行了改進(jìn)，設(shè)計(jì)出了TVS（瞬變電壓抑制）二極管。TVS二極管的原理、特性與雪崩二極管基本相同。TVS二極管具有多種封裝形式，如普通形式封裝、表面封裝、陣列封裝等，以用于IC芯片、信號(hào)線(xiàn)纜的雷擊電涌、ESD保護(hù)。圖5所示為表面封裝和陣列封裝的TVS二極管實(shí)物圖。

圖5 典型TVS管實(shí)物圖

2.1 TVS管的結(jié)構(gòu)及特性

與普通雪崩二極管相比，TVS管在結(jié)構(gòu)上的主要改進(jìn)是增大了PN結(jié)面積，使瞬態(tài)通流能力大大提高。同時(shí)，二極管內(nèi)還設(shè)計(jì)有鉬或鎢等金屬制成的小散熱器，能夠加快散熱、減低節(jié)溫，提高吸收能量。因此，TVS二極管用于保護(hù)時(shí)具有以下優(yōu)缺點(diǎn)。（1）優(yōu)點(diǎn)響應(yīng)時(shí)間短，擊穿電壓誤差小，鉗位精度高，無(wú)跟隨電流現(xiàn)象，體積小。并且經(jīng)受多次瞬變電壓后，性能不下降，可靠性高。（2）缺點(diǎn)由于吸收的瞬態(tài)沖擊功率都施加在二極管PN結(jié)上，故其所能承受的沖擊功率比氣體放電管、壓敏電阻小很多，通流容量也較小。TVS管的寄生電容較大，而低電容TVS管的功率則較小。故此，TVS管主要適合于沖擊能量較小場(chǎng)合的保護(hù)。如果過(guò)電壓沖擊能量較大，通常需使用多級(jí)分壓鉗位設(shè)計(jì)，并將TVS管作為末級(jí)保護(hù)器件。2.2 TVS管主要參數(shù)單極性TVS管的典型伏安特性曲線(xiàn)如圖6所示，與雪崩二極管一致。雙極性TVS管的伏安特性是一、三象限對(duì)稱(chēng)的，與圖3（a）相似，不再詳述。下面介紹TVS管的主要技術(shù)參數(shù)，其中一些已在圖6中標(biāo)出。

圖6 單極性TVS管的典型伏安特性曲線(xiàn)

（1）額定直流持續(xù)工作電壓VWM在額定工作溫度范圍內(nèi)，只要外加電壓不超過(guò)額定直流持續(xù)工作電壓，二極管就一直保持在阻斷狀態(tài)，不會(huì)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通或微通狀態(tài)。在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，這個(gè)參數(shù)必須大于或等于被保護(hù)物體的最大工作電壓，具體參見(jiàn)圖1。

（2）最小擊穿電壓VBR在規(guī)定幅值的直流測(cè)試電流下，二極管的反向電壓即為最小擊穿電壓。通常測(cè)試電流為1mA。

（3）最大鉗位電壓VC在通過(guò)規(guī)定波形的大電流（幾十至幾百安）時(shí)，TVS管兩端出現(xiàn)的最高電壓為最大鉗位電壓。通常測(cè)試波形為10/1000μs電流波。

（4）脈沖電流峰值IPP通常為10/1000μs脈沖電流波的峰值。

（5）脈沖功率在規(guī)定的10/1000μs電流波形下，TVS管兩端的最大鉗位電壓與管子中電流峰值的乘積為脈沖功率。當(dāng)考慮管子的額定脈沖功率的參數(shù)時(shí)，要考慮到實(shí)際的暫態(tài)脈沖波形。如果實(shí)際脈沖的持續(xù)時(shí)間比10/1000μs的短，則管子可以吸收比額定脈沖功率值更大的暫態(tài)功率。比如，一只典型的雪崩二極管在8/20μs波形下能夠通過(guò)的最大脈沖電流要比它在10/1000μs波形下能夠通過(guò)的最大脈沖電流大6～10倍。

（6）泄漏電流Id在反向電壓VWM作用下，TVS管中流過(guò)的反向電流值為泄漏電流。

（7）正向壓降Vf一般以額定的正弦波電流通過(guò)半個(gè)周期時(shí)的壓降表示，一般在0.7～3V。

（8）寄生電容TVS管PN節(jié)的電容為寄生電容。該電容受反向電壓影響，通常在1MHz測(cè)得。

2.3 TVS管的應(yīng)用設(shè)計(jì)要點(diǎn)

選擇和應(yīng)用TVS管時(shí)，應(yīng)注意以下要點(diǎn)：① 根據(jù)被保護(hù)設(shè)備、線(xiàn)路中可能出現(xiàn)的過(guò)電壓極性，確定使用單極性TVS管還是雙極性TVS管。② TVS管的最大鉗位電壓VC應(yīng)低于被保護(hù)電子元器件或設(shè)備的耐受電壓水平。③ TVS管的最小擊穿電壓應(yīng)明顯高于被保護(hù)電子系統(tǒng)的最高運(yùn)行電壓峰值，以防止在系統(tǒng)正常運(yùn)行電壓時(shí)處于弱導(dǎo)通狀態(tài)，避免過(guò)熱以及產(chǎn)生干擾。④ 估算TVS管在抑制暫態(tài)過(guò)電壓時(shí)可能吸收的最大功率，并按照暫態(tài)電流波形的實(shí)際持續(xù)時(shí)間選擇管子的脈沖功率，使額定最大脈沖功率大于電路中出現(xiàn)的最大瞬態(tài)脈沖功率。⑤ 對(duì)小電流負(fù)載的保護(hù)，可在TVS管之前串接適當(dāng)?shù)南蘖麟娮瑁纯捎眯》逯滴展β实腡VS管完成瞬態(tài)脈沖功率的吸收。此文章來(lái)自書(shū)籍及網(wǎng)絡(luò)資料的整理。